Renesas lance des GaN FET 100 V
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Renesas lance des GaN FET 100 V
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Le 14 octobre 2026, Renesas Electronics a lancé sa première famille de transistors de puissance GaN discrets 100 V à mode enrichissement (E-mode), selon EDN. Aucun autre reportage de suivi n'est disponible à ce jour. Les conditions, l'objet d'application, la tarification, la zone géographique et les restrictions ne sont pas précisés dans la source.
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Dernière évolution14 octobre 23:25
Renesas lance des GaN FET 100 V à FOM de commutation réduitChronologie des reportages
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14 octobre
- EDNRenesas lance des GaN FET 100 V à FOM de commutation réduit
Renesas Electronics a lancé sa première famille de transistors de puissance GaN discrets 100 V à mode enrichissement (E-mode).
Évolution des tendances de cet événement
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