Renesas échantillonne un GaN FET 650 V
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Renesas échantillonne le TP65H020G4PLSGBD, présenté comme le premier GaN FET 650 V à refroidissement double face pour la conversion haute densité des data centers IA en 800 V HVDC. Il affiche 20 mΩ, réduit l'impédance thermique côté supérieur de 10 % et adopte un boîtier PQFN 8×8 mm (-57 % face au TOLT 10×15 mm). Architecture Gen IV Plus GaN, systèmes jusqu'à 700 V ; cible : DC/DC de bus 800 V (48/12/6 V), batterie de secours et banc de condensateurs sidecar. Production de masse prévue mi-2027.
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- EDNRenesas échantillonne le GaN FET 650 V TP65H020G4PLSGBD à refroidissement double face pour data centers IA 800 V HVDC
Renesas échantillonne le TP65H020G4PLSGBD, présenté comme le premier GaN FET 650 V à refroidissement double face destiné à la conversion de puissance haute densité des data centers IA en 800 V HVDC. Le composant affiche une résistance à l'état passant de 20 mΩ, réduit l'impédance thermique côté supérieur de 10 % et adopte un boîtier PQFN 8×8 mm qui diminue l'empreinte de 57 % face au TOLT 10×15 mm. Bâti sur l'architecture Gen IV Plus GaN pour des systèmes jusqu'à 700 V, il vise l'étage convertisseur DC/DC de bus intermédiaire 800 V (sortie 48 V, 12 V ou 6 V) ainsi que les étages batterie de secours et banc de condensateurs du rack d'alimentation sidecar ; la production de masse est prévue pour mi-2027.
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