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Microchip lance le convertisseur GaN POL-05-20S-T

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AI Synthèse

Le 22 octobre 2026, EDN rapporte que Microchip a annoncé la disponibilité en production du POL-05-20S-T, un convertisseur point-of-load GaN tolérant aux radiations, délivrant jusqu'à 20 A en continu pour alimenter des FPGA. Selon le reportage, ses paramètres électriques sont spécifiés avant et après irradiation jusqu'à 50 krad(Si), ses effets singuliers caractérisés jusqu'à un LET de 43 MeV·cm²/mg, et il fonctionne à pleine charge de −55 °C à +100 °C, dans un boîtier CMS de 1,51×1,51×0,45 pouce.

AI Généré à partir des reportages · 2 hmise à jour

Chronologie des reportages

Suivez les reportages pour découvrir les différentes facettes de l'événement.

22 octobre
  1. EDN
    Microchip POL-05-20S-T : convertisseur GaN tolérant aux radiations pour l'électronique spatiale

    Microchip lance en production le POL-05-20S-T, un convertisseur point-of-load GaN tolérant aux radiations délivrant jusqu'à 20 A en continu pour alimenter FPGA.

Évolution des tendances de cet événement

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